Name: SISS27DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS27DN-T1-GE3TR-ND
Price: 38.8652 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SISS27DN-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SISS27DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SISS27DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SISS27DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SISS27DN-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 50A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8S
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,2V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 140 nC @ 10 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5250 pF @ 15 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 4,8W (Ta), 57W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -50°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® 1212-8S
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 50A (Tc)	Pouzdro PowerPAK® 1212-8S
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu SISS27
Rds zap (max) při Id, Vgs 5,6mOhm při 15A, 10V