Name: DMN6070SSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN6070SSD-13DITR-ND
Price: 16.3834 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN6070SSD-13
Číslo produktu DigiKey	DMN6070SSD-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN6070SSD-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN6070SSD-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN6070SSD-13
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 3,3A 1,2W Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMN6070SSD-13 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,3A
Rds zap (max) při Id, Vgs	80mOhm při 12A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	12,3nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	588pF při 30V
Výkon - max	1,2W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SO
Základní číslo produktu	DMN6070