N-kanál 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOG-8-1
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOG-8-1
IPTG014N10NM5ATMA1

IAUS300N08S5N012ATMA1

Číslo produktu DigiKey
IAUS300N08S5N012ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
IAUS300N08S5N012ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
IAUS300N08S5N012ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IAUS300N08S5N012ATMA1
Popis
MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Standardní dodací lhůta výrobce
27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOG-8-1
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IAUS300N08S5N012ATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
300A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,2mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,8V při 275µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
231 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
16250 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
375W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-HSOG-8-1
Pouzdro
8-PowerSMD, Přívod tvaru L
Základní číslo produktu
IAUS300
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 3 260
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
1129,98000 Kč129,98 Kč
1087,14200 Kč871,42 Kč
10062,91210 Kč6 291,21 Kč
50062,58664 Kč31 293,32 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
1 80051,13269 Kč92 038,84 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:129,98000 Kč
Jednotková cena s DPH:157,27580 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
2 Položky
AUIR2085STR

AUIR2085STR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

82,73000 Kč
TLE9180D31QKXUMA1

TLE9180D31QKXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64LQFP

Infineon Technologies

136,28000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
TPS48111LQDGXRQ1

TPS48111LQDGXRQ1

AUTOMOTIVE 3.5-V TO 80-V HIGH SI

Texas Instruments

97,43000 Kč
TPS48110AQDGXRQ1

TPS48110AQDGXRQ1

AUTOMOTIVE 3.5-V TO 80-V HIGH SI

Texas Instruments

95,33000 Kč
SS2H10-E3/5BT

SS2H10-E3/5BT

DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,51000 Kč
LM5148QRGYRQ1

LM5148QRGYRQ1

AUTOMOTIVE, 80-V SYNCHRONOUS BUC

Texas Instruments

96,59000 Kč
TPS48111Q1EVM

TPS48111Q1EVM

EVAL BOARD FOR TPS48111-Q1

Texas Instruments

4 409,58000 Kč
IAUT300N08S5N012ATMA2

IAUT300N08S5N012ATMA2

MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF

Infineon Technologies

118,43000 Kč
IPT015N10N5ATMA1

IPT015N10N5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF

Infineon Technologies

131,03000 Kč
SIRB40DP-T1-GE3

SIRB40DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8

Vishay Siliconix

49,56000 Kč
SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Vishay Siliconix

30,24000 Kč
FOD817C300W

FOD817C300W

OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP

onsemi

9,03000 Kč