SIHP22N60E-GE3 není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 102,69000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 1 248
Jednotková cena : 87,90000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 3 155
Jednotková cena : 87,49000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 790
Jednotková cena : 89,99000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 444
Jednotková cena : 89,57000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 659
Jednotková cena : 94,15000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 807
Jednotková cena : 99,15000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 85,61000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 260
Jednotková cena : 83,53000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 29,81940 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 4 400
Jednotková cena : 132,69000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 64,35430 Kč

Similar


IXYS
Skladem : 255
Jednotková cena : 141,23000 Kč
Katalogový list
TO-220AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
TO-220AB
TO-220AB
TO-220AB

SIHP22N60E-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIHP22N60E-GE3-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SIHP22N60E-GE3
Popis
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Standardní dodací lhůta výrobce
20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Průchozí otvor
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
180mOhm při 11A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1920 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
227W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 Skladem
Zkontrolovat dodací lhůtu
Požádat o sdělení stavu zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
184,15000 Kč84,15 Kč
1055,88700 Kč558,87 Kč
10048,85470 Kč4 885,47 Kč
50043,14976 Kč21 574,88 Kč
1 00037,75438 Kč37 754,38 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:84,15000 Kč
Jednotková cena s DPH:101,82150 Kč