Name: IPP65R190C6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP65R190C6XKSA1-ND
Price: 36.08147 CZK
Availability: OutOfStock

IPP65R190C6XKSA1 je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.

Dostupné náhrady:

Similar

FCP190N65F

onsemi

Skladem : 1 659

Jednotková cena : 94,15000 Kč

Katalogový list

Similar

FCP20N60

onsemi

Skladem : 1 807

Jednotková cena : 99,15000 Kč

Katalogový list

Similar

STP20N65M5

STMicroelectronics

Skladem : 674

Jednotková cena : 75,20000 Kč

Katalogový list

Similar

STP24N60M2

STMicroelectronics

Skladem : 691

Jednotková cena : 72,28000 Kč

Katalogový list

Similar

STP24NM60N

STMicroelectronics

Skladem : 381

Jednotková cena : 73,53000 Kč

Katalogový list

Similar

STP28N65M2

STMicroelectronics

Skladem : 943

Jednotková cena : 74,36000 Kč

Katalogový list

Parametrický ekvivalent

IPP65R190E6XKSA1

Rochester Electronics, LLC

Skladem : 3 890

Jednotková cena : 44,57621 Kč

Katalogový list

Zobrazit a porovnat všechny náhrady

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPP65R190C6XKSA1
Číslo produktu DigiKey	IPP65R190C6XKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPP65R190C6XKSA1
Popis	MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 20,2A (Tc) 151W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPP65R190C6XKSA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™
Balení	Trubice
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	20,2A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	190mOhm při 7,3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 730µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	73 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1620 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	151W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO220-3
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	IPP65R190

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

K dispozici pro objednání

Tento produkt není veden skladem u společnosti DigiKey. Uvedená dodací lhůta se bude vztahovat na dodávku od výrobce do společnosti DigiKey. Společnost DigiKey expeduje produkt po jeho obdržení a vyřídí tak otevřené objednávky.

Není doporučeno pro nové konstrukční řešení, mohou platit minimální množství. Zobrazit Náhrady.

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
500	29,81940 Kč	14 909,70 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.