Parametrický ekvivalent
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

SIHG33N60E-E3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHG33N60E-E3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHG33N60E-E3 |
Popis | MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC |
Standardní dodací lhůta výrobce | 22 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Průchozí otvor TO-247AC |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 150 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±30V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3508 pF @ 100 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 278W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-247AC |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 99mOhm při 16,5A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHG33N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG33N60E-GE3-ND | 161,42000 Kč | Parametrický ekvivalent |
| FCH099N60E | onsemi | 0 | FCH099N60E-ND | 0,00000 Kč | Similar |
| FCH25N60N | onsemi | 0 | FCH25N60NOS-ND | 0,00000 Kč | Similar |
| SPW35N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | 240 | SPW35N60C3FKSA1-ND | 255,48000 Kč | Similar |
| TK28N65W,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 30 | TK28N65WS1F-ND | 181,03000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 500 | 76,11840 Kč | 38 059,20 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 76,11840 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 92,10326 Kč |






