
SPW35N60C3FKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SPW35N60C3FKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SPW35N60C3FKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 34,6A (Tc) 313W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-1 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SPW35N60C3FKSA1 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 3,9V při 1,9mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 200 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4500 pF @ 25 V |
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce | Rozptylový výkon (Max) 313W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO247-3-1 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 100mOhm při 21,9A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHG44N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG44N65EF-GE3-ND | 127,40746 Kč | Direct |
| FCH077N65F-F085 | onsemi | 1 646 | FCH077N65F-F085-ND | 248,62000 Kč | Similar |
| FCH077N65F-F155 | onsemi | 17 | FCH077N65F-F155-ND | 231,61000 Kč | Similar |
| IXFH36N60P | IXYS | 510 | IXFH36N60P-ND | 334,50000 Kč | Similar |
| IXFX48N60Q3 | IXYS | 38 | IXFX48N60Q3-ND | 715,82000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 257,23000 Kč | 257,23 Kč |
| 30 | 151,89267 Kč | 4 556,78 Kč |
| 120 | 128,78075 Kč | 15 453,69 Kč |
| 510 | 111,85512 Kč | 57 046,11 Kč |
| 1 020 | 105,68314 Kč | 107 796,80 Kč |
| 2 010 | 100,60110 Kč | 202 208,21 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 257,23000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 311,24830 Kč |









