Name: TK28N65W,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK28N65WS1F-ND
Price: 200.4486 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

TK28N65W,S1F
Číslo produktu DigiKey	TK28N65WS1F-ND
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TK28N65W,S1F
Popis	MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 27,6A (Ta) 230W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TK28N65W,S1F Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	DTMOSIV
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	27,6A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	110mOhm při 13,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 1,6mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3000 pF @ 300 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	230W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247
Pouzdro	TO-247-3
Základní číslo produktu	TK28N65

Jednotková cena bez DPH:	165,66000 Kč
Jednotková cena s DPH:	200,44860 Kč

TK28N65W,S1F