Name: SIHG33N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG33N60E-GE3-ND
Price: 196.6492 CZK
Availability: OutOfStock

SIHG33N60E-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIHG33N60E-GE3-ND
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIHG33N60E-GE3
Popis	MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Průchozí otvor TO-247AC
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	33A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	99mOhm při 16,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3508 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	278W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247AC
Pouzdro	TO-247-3
Základní číslo produktu	SIHG33

Jednotková cena bez DPH:	162,52000 Kč
Jednotková cena s DPH:	196,64920 Kč

SIHG33N60E-GE3