SIHF15N60E-E3 není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.
Dostupné náhrady:

Direct


Vishay Siliconix
Skladem : 395
Jednotková cena : 91,55000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 330
Jednotková cena : 83,99000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 228
Jednotková cena : 89,03000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 32,23886 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 67
Jednotková cena : 93,23000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 948
Jednotková cena : 101,84000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 78
Jednotková cena : 77,90000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 814
Jednotková cena : 81,89000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 32,68716 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 22,98106 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 24,66300 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 15A (Tc) 34W (Tc) Průchozí otvor Plná výzbroj TO-220
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHF15N60E-E3

Číslo produktu DigiKey
SIHF15N60E-E3-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SIHF15N60E-E3
Popis
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Standardní dodací lhůta výrobce
22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 15A (Tc) 34W (Tc) Průchozí otvor Plná výzbroj TO-220
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
280mOhm při 8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1350 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
34W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
Plná výzbroj TO-220
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Zkontrolovat dodací lhůtu
Požádat o sdělení stavu zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
191,55000 Kč91,55 Kč
1060,13800 Kč601,38 Kč
10042,31310 Kč4 231,31 Kč
50034,70718 Kč17 353,59 Kč
1 00032,26427 Kč32 264,27 Kč
2 00030,21088 Kč60 421,76 Kč
5 00029,13473 Kč145 673,65 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:91,55000 Kč
Jednotková cena s DPH:110,77550 Kč