FCPF9N60NT je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


onsemi
Skladem : 910
Jednotková cena : 88,40000 Kč
Katalogový list

Direct


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 112
Jednotková cena : 76,85000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 300
Jednotková cena : 43,68000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 373
Jednotková cena : 44,52000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 373
Jednotková cena : 84,62000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 325
Jednotková cena : 56,69000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 814
Jednotková cena : 68,24000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 73,91000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 71,39000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 493
Jednotková cena : 64,88000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 378
Jednotková cena : 55,22000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 700
Jednotková cena : 40,53000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 763
Jednotková cena : 108,14000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 603
Jednotková cena : 108,35000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 9A (Tc) 29,8W (Tc) Průchozí otvor TO-220F-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FCPF9N60NT

Číslo produktu DigiKey
FCPF9N60NT-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FCPF9N60NT
Popis
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 9A (Tc) 29,8W (Tc) Průchozí otvor TO-220F-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FCPF9N60NT Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
385mOhm při 4,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1240 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
29,8W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220F-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.