FCPF11N60NT je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


onsemi
Skladem : 486
Jednotková cena : 101,84000 Kč
Katalogový list

Direct


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 149
Jednotková cena : 78,32000 Kč
Katalogový list

Direct


Infineon Technologies
Skladem : 373
Jednotková cena : 44,52000 Kč
Katalogový list

Direct


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 37
Jednotková cena : 42,21000 Kč
Katalogový list

Similar


Central Semiconductor Corp
Skladem : 0
Jednotková cena : 22,51736 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 36
Jednotková cena : 38,01000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 36,96000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 273
Jednotková cena : 107,93000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 373
Jednotková cena : 84,62000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 325
Jednotková cena : 56,69000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 441
Jednotková cena : 61,10000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 65,09000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 78,53000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 395
Jednotková cena : 85,46000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 10,8A (Tc) 32,1W (Tc) Průchozí otvor TO-220F-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FCPF11N60NT

Číslo produktu DigiKey
FCPF11N60NT-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FCPF11N60NT
Popis
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 10,8A (Tc) 32,1W (Tc) Průchozí otvor TO-220F-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FCPF11N60NT Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
299mOhm při 5,4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
35.6 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1505 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
32,1W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220F-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.