FCPF11N60NT je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


onsemi
Skladem : 496
Jednotková cena : 87,49000 Kč
Katalogový list

Direct


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 199
Jednotková cena : 67,70000 Kč
Katalogový list

Direct


Infineon Technologies
Skladem : 373
Jednotková cena : 42,70000 Kč
Katalogový list

Direct


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 79
Jednotková cena : 41,87000 Kč
Katalogový list

Similar


Central Semiconductor Corp
Skladem : 0
Jednotková cena : 22,33720 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 105
Jednotková cena : 39,58000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 36,45000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 277
Jednotková cena : 107,07000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 500
Jednotková cena : 83,94000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 337
Jednotková cena : 54,57000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 441
Jednotková cena : 57,91000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 33,95000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 725
Jednotková cena : 74,99000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 662
Jednotková cena : 63,74000 Kč
Katalogový list
TO-220F-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FCPF11N60NT

Číslo produktu DigiKey
FCPF11N60NT-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FCPF11N60NT
Popis
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 10,8A (Tc) 32,1W (Tc) Průchozí otvor TO-220F-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FCPF11N60NT Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
299mOhm při 5,4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
35.6 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1505 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
32,1W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220F-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.