N-kanál 650 V 12A (Tc) 40W (Tc) Průchozí otvor TO-220 izolovaná podložka
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXFP12N65X2M

Číslo produktu DigiKey
IXFP12N65X2M-ND
Výrobce
IXYS
Číslo produktu výrobce
IXFP12N65X2M
Popis
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Standardní dodací lhůta výrobce
27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 12A (Tc) 40W (Tc) Průchozí otvor TO-220 izolovaná podložka
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
IXYS
Řada
HiPerFET™, Ultra X2
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
12A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
310mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1134 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
40W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220 izolovaná podložka
Pouzdro
Plná výzbroj TO-220-3, Izolovaná podložka
Základní číslo produktu
IXFP12
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 273
Skladové zásoby výrobce: 500
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1107,93000 Kč107,93 Kč
5056,16540 Kč2 808,27 Kč
10051,16790 Kč5 116,79 Kč
50042,41428 Kč21 207,14 Kč
1 00039,86218 Kč39 862,18 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:107,93000 Kč
Jednotková cena s DPH:130,59530 Kč