SIHF12N60E-E3 není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.
Dostupné náhrady:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 330
Jednotková cena : 83,99000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 228
Jednotková cena : 89,03000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 32,23886 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 67
Jednotková cena : 93,23000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 948
Jednotková cena : 101,84000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 78
Jednotková cena : 77,90000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 814
Jednotková cena : 81,89000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 32,68716 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 22,98106 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 24,66300 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 52,50000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 12A (Tc) 33W (Tc) Průchozí otvor Plná výzbroj TO-220
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHF12N60E-E3

Číslo produktu DigiKey
SIHF12N60E-E3-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SIHF12N60E-E3
Popis
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Standardní dodací lhůta výrobce
15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 12A (Tc) 33W (Tc) Průchozí otvor Plná výzbroj TO-220
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
380mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
937 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
33W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
Plná výzbroj TO-220
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Zkontrolovat dodací lhůtu
Požádat o sdělení stavu zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
173,91000 Kč73,91 Kč
1048,21100 Kč482,11 Kč
10033,63460 Kč3 363,46 Kč
50027,40532 Kč13 702,66 Kč
1 00025,40422 Kč25 404,22 Kč
2 00023,88523 Kč47 770,46 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:73,91000 Kč
Jednotková cena s DPH:89,43110 Kč