Name: SIA106DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA106DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 38.6111 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIA106DJ-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIA106DJ-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIA106DJ-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIA106DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIA106DJ-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 10A (Ta), 12A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SC-70-6
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 13.5 nC @ 10 V
Řada TrenchFET® Gen IV	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 540 pF @ 30 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 3,5W (Ta), 19W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SC-70-6
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 10A (Ta), 12A (Tc)	Pouzdro PowerPAK® SC-70-6
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 7,5V, 10V	Základní číslo produktu SIA106
Rds zap (max) při Id, Vgs 18,5mOhm při 4A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 2 187

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)