Name: SSM6N58NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N58NULFTR-ND
Price: 15.0282 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SSM6N58NU,LF
Číslo produktu DigiKey	SSM6N58NULFTR-ND - Páska a cívka (TR) SSM6N58NULFCT-ND - Řezaná páska (CT) SSM6N58NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM6N58NU,LF
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 4A 1W Montáž na povrch 6-UDFN (2x2)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SSM6N58NU,LF Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně, 1,8V pohon
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4A
Rds zap (max) při Id, Vgs	84mOhm při 2A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	1,8nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	129pF při 15V
Výkon - max	1W
Provozní teplota	150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	6-WDFN podložka pro odvod tepla
Dodávaná velikost pouzdra	6-UDFN (2x2)
Základní číslo produktu	SSM6N58

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 105 540

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)