Name: SSM6N58NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N58NULFTR-ND
Price: 15.8994 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SSM6N58NU,LF
Číslo produktu DigiKey	SSM6N58NULFTR-ND - Páska a cívka (TR) SSM6N58NULFCT-ND - Řezaná páska (CT) SSM6N58NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM6N58NU,LF
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 4A 1W Montáž na povrch 6-UDFN (2x2)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SSM6N58NU,LF Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1V při 1mA
Výrobce Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 1,8nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 129pF při 15V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 1W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně, 1,8V pohon	Pouzdro 6-WDFN podložka pro odvod tepla
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Dodávaná velikost pouzdra 6-UDFN (2x2)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 4A	Základní číslo produktu SSM6N58
Rds zap (max) při Id, Vgs 84mOhm při 2A, 4,5V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 37 237

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)

Standardní balení výrobce

Jednotková cena bez DPH:	13,14000 Kč
Jednotková cena s DPH:	15,89940 Kč

SSM6N58NU,LF