Name: NTLJD4116NT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTLJD4116NT1GTR-ND
Price: 33.5412 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTLJD4116NT1G
Číslo produktu DigiKey	488-NTLJD4116NT1GTR-ND - Páska a cívka (TR) 488-NTLJD4116NT1GCT-ND - Řezaná páska (CT) 488-NTLJD4116NT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTLJD4116NT1G
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 2,5A 710mW Montáž na povrch 6-WDFN (2x2)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1V při 250µA
Výrobce onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 6,5nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 427pF při 15V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 710mW
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 6-WDFN podložka pro odvod tepla
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Dodávaná velikost pouzdra 6-WDFN (2x2)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2,5A	Základní číslo produktu NTLJD41
Rds zap (max) při Id, Vgs 70mOhm při 2A, 4,5V