PG-TDSON-8-7
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSC097N06NSATMA1

Číslo produktu DigiKey
BSC097N06NSATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
BSC097N06NSATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
BSC097N06NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
BSC097N06NSATMA1
Popis
MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
Standardní dodací lhůta výrobce
26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 60 V 46A (Tc) 2,5W (Ta), 36W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-6
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSC097N06NSATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
46A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
9,7mOhm při 40A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,3V při 14µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1075 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
2,5W (Ta), 36W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TDSON-8-6
Pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo produktu
BSC097
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 14 900
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
130,31000 Kč30,31 Kč
1019,17700 Kč191,77 Kč
10012,74160 Kč1 274,16 Kč
5009,97392 Kč4 986,96 Kč
1 0009,08329 Kč9 083,29 Kč
2 0008,62492 Kč17 249,84 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
5 0007,29757 Kč36 487,85 Kč
10 0007,04649 Kč70 464,90 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:30,31000 Kč
Jednotková cena s DPH:36,67510 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
7 Položky
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

14,52000 Kč
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

22,73000 Kč
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

15,79000 Kč
IRS2007STRPBF

IRS2007STRPBF

IC HALF BRIDGE DRVR 600MA 8SOIC

Infineon Technologies

17,68000 Kč
6EDL04N02PRXUMA1

6EDL04N02PRXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP

Infineon Technologies

66,94000 Kč
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

18,95000 Kč
2EDS8165HXUMA1

2EDS8165HXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

Infineon Technologies

47,36000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
BAT54T-7-F

BAT54T-7-F

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523

Diodes Incorporated

3,79000 Kč
BSS84W-7-F

BSS84W-7-F

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323

Diodes Incorporated

7,37000 Kč
NCP18XH103F03RB

NCP18XH103F03RB

THERMISTOR NTC 10KOHM 3380K 0603

Murata Electronics

3,58000 Kč
BSC070N10LS5ATMA1

BSC070N10LS5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON

Infineon Technologies

29,68000 Kč
DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7

MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN

Diodes Incorporated

17,05000 Kč
DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7

MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Diodes Incorporated

18,73000 Kč
BZT585B15T-7

BZT585B15T-7

DIODE ZENER 15V 350MW SOD523

Diodes Incorporated

4,21000 Kč
BZT585B13T-7

BZT585B13T-7

DIODE ZENER 13V 350MW SOD523

Diodes Incorporated

2,74000 Kč
BSC093N15NS5SCATMA1

BSC093N15NS5SCATMA1

TRENCH >=100V

Infineon Technologies

97,25000 Kč
TL081HIDBVR

TL081HIDBVR

IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT SOT23-5

Texas Instruments

6,74000 Kč