Name: BSC097N06NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC097N06NSATMA1TR-ND
Price: 36.5904 CZK
Availability: InStock

BSC097N06NSATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC097N06NSATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC097N06NSATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC097N06NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC097N06NSATMA1
Popis	MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 46A (Tc) 2,5W (Ta), 36W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC097N06NSATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	46A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	9,7mOhm při 40A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,3V při 14µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1075 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 36W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-6
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC097

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
5 000	7,50464 Kč	37 523,20 Kč
10 000	7,02908 Kč	70 290,80 Kč

Jednotková cena bez DPH:	30,24000 Kč
Jednotková cena s DPH:	36,59040 Kč

BSC097N06NSATMA1