Name: SIS443DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS443DN-T1-GE3TR-ND
Price: 54.3774 CZK
Availability: OutOfStock

SIS443DN-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIS443DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIS443DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIS443DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIS443DN-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Standardní dodací lhůta výrobce	31 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 40 V 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIS443DN-T1-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	35A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	11,7mOhm při 15A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	135 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4370 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® 1212-8
Pouzdro	PowerPAK® 1212-8
Základní číslo produktu	SIS443

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
3 000	12,60566 Kč	37 816,98 Kč
6 000	12,07385 Kč	72 443,10 Kč

Jednotková cena bez DPH:	44,94000 Kč
Jednotková cena s DPH:	54,37740 Kč

SIS443DN-T1-GE3