Name: IPB017N10N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB017N10N5ATMA1TR-ND
Price: 157.2758 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPB017N10N5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB017N10N5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB017N10N5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB017N10N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB017N10N5ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB017N10N5ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	180A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,7mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,8V při 279µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	210 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	15600 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	375W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-7
Pouzdro	TO-263-7, D2PAK (6 přívodů + výstupek)
Základní číslo produktu	IPB017

Jednotková cena bez DPH:	129,98000 Kč
Jednotková cena s DPH:	157,27580 Kč

IPB017N10N5ATMA1