Name: IPB024N10N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB024N10N5ATMA1TR-ND
Price: 128.8166 CZK
Availability: InStock

IPB024N10N5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPB024N10N5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPB024N10N5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPB024N10N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB024N10N5ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 180A (Tc) 250W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB024N10N5ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	180A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,4mOhm při 90A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,8V při 183µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	138 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	10200 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	250W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-7
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA
Základní číslo produktu	IPB024

Jednotková cena bez DPH:	106,46000 Kč
Jednotková cena s DPH:	128,81660 Kč

IPB024N10N5ATMA1