Name: IPB039N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB039N10N3GATMA1TR-ND
Price: 123.3958 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB039N10N3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB039N10N3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB039N10N3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB039N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB039N10N3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 160A (Tc) 214W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB039N10N3GATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 160µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 117 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 8410 pF @ 50 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 214W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-7
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 160A (Tc)	Pouzdro TO-263-7, D2PAK (6 přívodů + výstupek)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu IPB039
Rds zap (max) při Id, Vgs 3,9mOhm při 100A, 10V