Name: SI7139DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7139DP-T1-GE3TR-ND
Price: 56.9184 CZK
Availability: InStock

SI7139DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI7139DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI7139DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI7139DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI7139DP-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 40A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI7139DP-T1-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	5,5mOhm při 15A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	146 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4230 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	5W (Ta), 48W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SI7139

Jednotková cena bez DPH:	47,04000 Kč
Jednotková cena s DPH:	56,91840 Kč

SI7139DP-T1-GE3