Name: BSC060P03NS3EGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC060P03NS3EGATMA1TR-ND
Price: 46.7544 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSC060P03NS3EGATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC060P03NS3EGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC060P03NS3EGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC060P03NS3EGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC060P03NS3EGATMA1
Popis	MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 17,7A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 83W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC060P03NS3EGATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,1V při 150µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 81 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±25V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6020 pF @ 15 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta), 83W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TDSON-8-1
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 17,7A (Ta), 100A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu BSC060
Rds zap (max) při Id, Vgs 6mOhm při 50A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 13 447

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®