Name: BSC084P03NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC084P03NS3GATMA1TR-ND
Price: 16.6375 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSC084P03NS3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC084P03NS3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC084P03NS3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC084P03NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC084P03NS3GATMA1
Popis	MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 14,9A (Ta), 78,6A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-5
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC084P03NS3GATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	14,9A (Ta), 78,6A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	8,4mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,1V při 105µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	58 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4785 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 69W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-5
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC084