Name: RS1E220ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E220ATTB1TR-ND
Price: 93.7508 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RS1E220ATTB1
Číslo produktu DigiKey	RS1E220ATTB1TR-ND - Páska a cívka (TR) RS1E220ATTB1CT-ND - Řezaná páska (CT) RS1E220ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RS1E220ATTB1
Popis	MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 22A (Ta), 76A (Tc) 3W (Ta) Montáž na povrch 8-HSOP
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 2mA
Mfr Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 130 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5850 pF @ 15 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 22A (Ta), 76A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-HSOP
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 4,1mOhm při 22A, 10V	Základní číslo produktu RS1E