Name: NP75P03YDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP75P03YDG-E1-AYTR-ND
Price: 86.0552 CZK
Availability: InStock

P-kanál 30 V 75A (Tc) 1W (Ta), 138W (Tc) Montáž na povrch 8-HSON

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NP75P03YDG-E1-AY
Číslo produktu DigiKey	559-NP75P03YDG-E1-AYTR-ND - Páska a cívka (TR) 559-NP75P03YDG-E1-AYCT-ND - Řezaná páska (CT) 559-NP75P03YDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	NP75P03YDG-E1-AY
Popis	MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 75A (Tc) 1W (Ta), 138W (Tc) Montáž na povrch 8-HSON
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NP75P03YDG-E1-AY Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 141 nC @ 10 V
Mfr Renesas Electronics Corporation	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4800 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 1W (Ta), 138W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 75A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra 8-HSON
Rds zap (max) při Id, Vgs 6,2mOhm při 37,5A, 10V	Pouzdro 8-SMD, Podložka pro odvod tepla pro ploché vodiče
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA	Základní číslo produktu NP75P03