Name: SIR422DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR422DP-T1-GE3TR-ND
Price: 43.7052 CZK
Availability: InStock

SIR422DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIR422DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIR422DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIR422DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIR422DP-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	49 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 40A (Tc) 5W (Ta), 34,7W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIR422DP-T1-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	6,6mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1785 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	5W (Ta), 34,7W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SIR422

Jednotková cena bez DPH:	36,12000 Kč
Jednotková cena s DPH:	43,70520 Kč

SIR422DP-T1-GE3