Name: FDMS6673BZ
Brand: onsemi
SKU: 488-FDMS6673BZTR-ND
Price: 61.2381 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDMS6673BZ
Číslo produktu DigiKey	488-FDMS6673BZTR-ND - Páska a cívka (TR) 488-FDMS6673BZCT-ND - Řezaná páska (CT) 488-FDMS6673BZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDMS6673BZ
Popis	MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Standardní dodací lhůta výrobce	31 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 15,2A (Ta), 28A (Tc) 2,5W (Ta), 73W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (5x6)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 130 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±25V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5915 pF @ 15 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta), 73W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-PQFN (5x6)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 15,2A (Ta), 28A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu FDMS6673
Rds zap (max) při Id, Vgs 6,8mOhm při 15,2A, 10V