SI4425BDY-T1-E3 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
Skladem : 7 397
Jednotková cena : 26,25000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 62 381
Jednotková cena : 26,04000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 0
Jednotková cena : 20,79000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 9 130
Jednotková cena : 29,82000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 6 303
Jednotková cena : 34,23000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 1 862
Jednotková cena : 19,32000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 5 965
Jednotková cena : 30,45000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 1 038
Jednotková cena : 44,94000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 6 336
Jednotková cena : 53,96000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 2 495
Jednotková cena : 53,96000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 2 252
Jednotková cena : 27,72000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 9 358
Jednotková cena : 30,45000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 2 446
Jednotková cena : 29,19000 Kč
Katalogový list
P-kanál 30 V 8,8A (Ta) 1,5W (Ta) Montáž na povrch 8-SOIC
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4425BDY-T1-E3

Číslo produktu DigiKey
SI4425BDY-T1-E3TR-ND - Páska a cívka (TR)
SI4425BDY-T1-E3CT-ND - Řezaná páska (CT)
SI4425BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SI4425BDY-T1-E3
Popis
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
P-kanál 30 V 8,8A (Ta) 1,5W (Ta) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SI4425BDY-T1-E3 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
12mOhm při 11,4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
1,5W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
8-SOIC
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.