Name: SI4425FDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4425FDY-T1-GE3TR-ND
Price: 31.7625 CZK
Availability: InStock

SI4425FDY-T1-GE3
cms-digikey-product-number	SI4425FDY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4425FDY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4425FDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SI4425FDY-T1-GE3
cms-description	MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC
cms-standard-lead-time	55 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	P-kanál 30 V 12,7A (Ta), 18,3A (Tc) 2,3W (Ta), 4,8W (Tc) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen IV
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12,7A (Ta), 18,3A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	9,5mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (max)	+16V, -20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1620 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,3W (Ta), 4,8W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOIC
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Základní číslo produktu	SI4425

Jednotková cena bez DPH:	26,25000 Kč
Jednotková cena s DPH:	31,76250 Kč

SI4425FDY-T1-GE3