Name: SI4100DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4100DY-T1-E3TR-ND
Price: 40.8254 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4100DY-T1-E3
Číslo produktu DigiKey	SI4100DY-T1-E3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4100DY-T1-E3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4100DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI4100DY-T1-E3
Popis	MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 6,8A (Tc) 2,5W (Ta), 6W (Tc) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI4100DY-T1-E3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	6,8A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	63mOhm při 4,4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	600 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 6W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOIC
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Základní číslo produktu	SI4100