Name: IPD200N15N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD200N15N3GATMA1TR-ND
Price: 80.0294 CZK
Availability: InStock

IPD200N15N3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPD200N15N3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPD200N15N3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPD200N15N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD200N15N3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD200N15N3GATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	50A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	8V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	20mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 90µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1820 pF @ 75 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	150W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IPD200

Jednotková cena bez DPH:	66,14000 Kč
Jednotková cena s DPH:	80,02940 Kč

IPD200N15N3GATMA1