Name: TK9A65W,S5X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK9A65WS5X-ND
Price: 72.0797 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

TK9A65W,S5X
Číslo produktu DigiKey	TK9A65WS5X-ND
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TK9A65W,S5X
Popis	MOSFET N-CH 650V 9.3A TO220SIS
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 9,3A (Ta) 30W (Tc) Průchozí otvor TO-220SIS
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TK9A65W,S5X Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	DTMOSIV
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	9,3A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	500mOhm při 4,6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 350µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	700 pF @ 300 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	30W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220SIS
Pouzdro	Plná výzbroj TO-220-3
Základní číslo produktu	TK9A65

Jednotková cena bez DPH:	59,57000 Kč
Jednotková cena s DPH:	72,07970 Kč

TK9A65W,S5X