IPAW70R600CEXKSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 400
Jednotková cena : 6,63000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 183
Jednotková cena : 19,59000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 378
Jednotková cena : 11,40000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 49
Jednotková cena : 17,47000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 184
Jednotková cena : 17,69000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 767
Jednotková cena : 16,00000 Kč
Katalogový list
N-kanál 700 V 10,5A (Tc) 86W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-FP
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPAW70R600CEXKSA1

Číslo produktu DigiKey
IPAW70R600CEXKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPAW70R600CEXKSA1
Popis
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO220-31
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 700 V 10,5A (Tc) 86W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-FP
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
700 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
600mOhm při 1A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 210µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
474 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
86W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO220-3-FP
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.