STW35N60DM2 není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.
Dostupné náhrady:

Similar

IPW65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar

IXFH34N65X2
IXYS
Skladem : 3 889
Jednotková cena : 3 010,73000 Kč
Katalogový list

Similar

IXFR64N60Q3
IXYS
Skladem : 30
Jednotková cena : 12 539,35000 Kč
Katalogový list

Similar

IXFX44N60
IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 5 251,67770 Kč
Katalogový list

Similar

IXFX48N60P
IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 3 356,08403 Kč
Katalogový list

Similar

IXFX48N60Q3
IXYS
Skladem : 38
Jednotková cena : 9 131,47000 Kč
Katalogový list

Similar

IXFX52N60Q2
IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 4 912,39433 Kč
Katalogový list

Similar

IXKH30N60C5
IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 1 444,08100 Kč
Katalogový list

Similar

IXKH35N60C5
IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar

IXTH34N65X2
IXYS
Skladem : 203
Jednotková cena : 2 725,67000 Kč
Katalogový list

Similar

SIHG28N60EF-GE3
Vishay Siliconix
Skladem : 490
Jednotková cena : 2 302,89000 Kč
Katalogový list

Similar

SIHG33N60E-GE3
Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 2 315,70000 Kč
Katalogový list

Similar

TSM60NE069PW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
Skladem : 295
Jednotková cena : 3 670,52000 Kč
Katalogový list

Similar

TSM60NE084PW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
Skladem : 265
Jednotková cena : 3 238,13000 Kč
Katalogový list
Zobrazit a porovnat všechny náhrady
N-kanál 600 V 28A (Tc) 210W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STW35N60DM2

Číslo produktu DigiKey
497-STW35N60DM2-ND
Výrobce
STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce
STW35N60DM2
Popis
MOSFET N-CH 600V 28A TO247
Standardní dodací lhůta výrobce
20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 28A (Tc) 210W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
STW35N60DM2 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
STMicroelectronics
Řada
MDmesh™ DM2
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
28A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
110mOhm při 14A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2400 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
210W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247-3
Pouzdro
TO-247-3
Základní číslo produktu
STW35
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Zkontrolovat dodací lhůtu
Požádat o sdělení stavu zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1112,31000 Kč112,31 Kč
3063,24400 Kč1 897,32 Kč
12052,43742 Kč6 292,49 Kč
51044,51149 Kč22 700,86 Kč
1 02042,41284 Kč43 261,10 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:112,31000 Kč
Jednotková cena s DPH:135,89510 Kč