IPW65R125C7XKSA1 Infineon Technologies | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

IPW65R125C7XKSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Infineon Technologies

Skladem : 198

Jednotková cena : 176,38000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPW65R125C7XKSA1
Číslo produktu DigiKey	IPW65R125C7XKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPW65R125C7XKSA1
Popis	MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 18A (Tc) 101W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPW65R125C7XKSA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 440µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 35 nC @ 10 V
Řada CoolMOS™ C7	Vgs (max) ±20V
Balení Trubice	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1670 pF @ 400 V
Stav součásti Zastaralé	Rozptylový výkon (Max) 101W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Průchozí otvor
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO247-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 18A (Tc)	Pouzdro TO-247-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IPW65R125
Rds zap (max) při Id, Vgs 125mOhm při 8,9A, 10V