SCT2120AFC je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 1 253
Jednotková cena : 146,36000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 1 684
Jednotková cena : 592,14000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 790
Jednotková cena : 150,14000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 569
Jednotková cena : 117,17000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 8 508
Jednotková cena : 65,51000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 298
Jednotková cena : 150,14000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 4 978
Jednotková cena : 158,95000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 26
Jednotková cena : 146,36000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 254
Jednotková cena : 169,24000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 110,87000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 124,10000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 349
Jednotková cena : 110,66000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 180
Jednotková cena : 169,87000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 23
Jednotková cena : 110,66000 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2120AFC

Číslo produktu DigiKey
SCT2120AFC-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SCT2120AFC
Popis
SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
4V při 3,3mA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
61 nC @ 18 V
Balení
Trubice
Vgs (max)
+22V, -6V
Stav součásti
Zastaralé
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1200 pF @ 500 V
Typ tranzistoru FET
Rozptylový výkon (Max)
165W (Tc)
Technologie
Provozní teplota
175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Způsob montáže
Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
18V
Pouzdro
Rds zap (max) při Id, Vgs
156mOhm při 10A, 18V
Základní číslo produktu
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (20)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
R6530KNX3C16Rohm Semiconductor1 253846-R6530KNX3C16-ND146,36000 KčSimilar
SCT2080KEGC11Rohm Semiconductor1 684846-SCT2080KEGC11-ND592,14000 KčSimilar
FCP170N60onsemi790FCP170N60-ND150,14000 KčSimilar
FCP190N65Fonsemi569FCP190N65F-ND117,17000 KčSimilar
IPP60R180P7XKSA1Infineon Technologies8 508IPP60R180P7XKSA1-ND65,51000 KčSimilar
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.