SCT2120AFC je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 1 253
Jednotková cena : 125,45000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 1 684
Jednotková cena : 532,59000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 790
Jednotková cena : 146,80000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 569
Jednotková cena : 110,46000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 9 801
Jednotková cena : 55,85000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 298
Jednotková cena : 123,39000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 4 978
Jednotková cena : 130,79000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 76
Jednotková cena : 120,52000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 255
Jednotková cena : 139,20000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 101,22000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 113,33000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 349
Jednotková cena : 97,94000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 260
Jednotková cena : 155,22000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 23
Jednotková cena : 98,14000 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2120AFC

Číslo produktu DigiKey
SCT2120AFC-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SCT2120AFC
Popis
SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
156mOhm při 10A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 3,3mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -6V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1200 pF @ 500 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
165W (Tc)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.