SCT2120AFC je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 1 259
Jednotková cena : 127,27000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 1 800
Jednotková cena : 533,25000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 790
Jednotková cena : 89,99000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 659
Jednotková cena : 94,15000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 56,45000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 298
Jednotková cena : 125,19000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 4 400
Jednotková cena : 132,69000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 77
Jednotková cena : 122,27000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 255
Jednotková cena : 141,23000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 367
Jednotková cena : 98,73000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 363
Jednotková cena : 154,35000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 23
Jednotková cena : 99,57000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 260
Jednotková cena : 83,53000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 368
Jednotková cena : 84,57000 Kč
Katalogový list
R6014YNX3C16
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
R6014YNX3C16

SCT2120AFC

Číslo produktu DigiKey
SCT2120AFC-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SCT2120AFC
Popis
SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
156mOhm při 10A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 3,3mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -6V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1200 pF @ 500 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
165W (Tc)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.