Name: FDS4935BZ
Brand: onsemi
SKU: FDS4935BZTR-ND
Price: 36.7961 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDS4935BZ
Číslo produktu DigiKey	FDS4935BZTR-ND - Páska a cívka (TR) FDS4935BZCT-ND - Řezaná páska (CT) FDS4935BZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDS4935BZ
Popis	MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 6,9A 900mW Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDS4935BZ Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	onsemi
Řada	PowerTrench®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 P-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	6,9A
Rds zap (max) při Id, Vgs	22mOhm při 6,9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	40nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1360pF při 15V
Výkon - max	900mW
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOIC
Základní číslo produktu	FDS49