Name: SI9926CDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI9926CDY-T1-GE3TR-ND
Price: 47.3715 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI9926CDY-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI9926CDY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI9926CDY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI9926CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI9926CDY-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 8A 3,1W Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	8A
Rds zap (max) při Id, Vgs	18mOhm při 8,3A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	33nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1200pF při 10V
Výkon - max	3,1W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOIC
Základní číslo produktu	SI9926