Name: SI7997DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7997DP-T1-GE3TR-ND
Price: 94.8882 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI7997DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI7997DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI7997DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI7997DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI7997DP-T1-GE3
Popis	MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 60A 46W Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI7997DP-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,2V při 250µA
Výrobce Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 160nC při 10V
Řada TrenchFET®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6200pF při 15V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Výkon - max 46W
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Konfigurace 2 P-kanál (duální)	Pouzdro PowerPAK® SO-8 duální
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8 duální
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 60A	Základní číslo produktu SI7997
Rds zap (max) při Id, Vgs 5,5mOhm při 20A, 10V