
SI7998DP-T1-GE3 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | SI7998DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI7998DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI7998DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SI7998DP-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 10 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 30V 25A, 30A 22W, 40W Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SI7998DP-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | Hradlo logické úrovně | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 25A, 30A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 9,3mOhm při 15A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 26nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1100pF při 15V | |
Výkon - max | 22W, 40W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | PowerPAK® SO-8 duální | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® SO-8 duální | |
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 44,58000 Kč | 44,58 Kč |
10 | 28,47500 Kč | 284,75 Kč |
100 | 19,29690 Kč | 1 929,69 Kč |
500 | 15,37004 Kč | 7 685,02 Kč |
1 000 | 14,66015 Kč | 14 660,15 Kč |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
3 000 | 11,97725 Kč | 35 931,75 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 44,58000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 53,94180 Kč |