
SI7998DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SI7998DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI7998DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI7998DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SI7998DP-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 38 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 30V 25A, 30A 22W, 40W Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SI7998DP-T1-GE3 Modely |
Kategorie | Rds zap (max) při Id, Vgs 9,3mOhm při 15A, 10V |
Výrobce Vishay Siliconix | Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA |
Řada | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 26nC při 10V |
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1100pF při 15V |
Stav součásti Aktivní | Výkon - max 22W, 40W |
Technologie MOSFET (oxid kovu) | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Konfigurace 2 N-kanál (duální) | Způsob montáže Montáž na povrch |
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně | Pouzdro PowerPAK® SO-8 duální |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V | Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8 duální |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 25A, 30A | Základní číslo produktu |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM085NB03DCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | 4 973 | 1801-TSM085NB03DCRRLGCT-ND | 36,08000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 47,76000 Kč | 47,76 Kč |
| 10 | 30,49100 Kč | 304,91 Kč |
| 100 | 20,67200 Kč | 2 067,20 Kč |
| 500 | 16,46584 Kč | 8 232,92 Kč |
| 1 000 | 15,11336 Kč | 15 113,36 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 13,39653 Kč | 40 189,59 Kč |
| 6 000 | 12,53280 Kč | 75 196,80 Kč |
| 9 000 | 12,09304 Kč | 108 837,36 Kč |
| 15 000 | 11,99191 Kč | 179 878,65 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 47,76000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 57,78960 Kč |




