FDC855N je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 1 343
Jednotková cena : 21,84000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 7 561
Jednotková cena : 17,85000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 5 266
Jednotková cena : 23,52000 Kč
Katalogový list

Similar


Taiwan Semiconductor Corporation
Skladem : 5 462
Jednotková cena : 15,54000 Kč
Katalogový list
N-kanál 30 V 6,1A (Ta) 1,6W (Ta) Montáž na povrch SuperSOT™-6
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 30 V 6,1A (Ta) 1,6W (Ta) Montáž na povrch SuperSOT™-6
Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview

FDC855N

Číslo produktu DigiKey
FDC855NTR-ND - Páska a cívka (TR)
FDC855NCT-ND - Řezaná páska (CT)
FDC855NDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FDC855N
Popis
MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 30 V 6,1A (Ta) 1,6W (Ta) Montáž na povrch SuperSOT™-6
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FDC855N Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
27mOhm při 6,1A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
655 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
1,6W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
SuperSOT™-6
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.