MFR Recommended
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

FCP190N60-GF102 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | FCP190N60-GF102-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | FCP190N60-GF102 |
Popis | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 600 V 20,2A (Tc) 208W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | FCP190N60-GF102 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 74 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2950 pF @ 25 V |
Stav součásti Zastaralé | Rozptylový výkon (Max) 208W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-220-3 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 199mOhm při 10A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| NTP185N60S5H | onsemi | 760 | 488-NTP185N60S5H-ND | 90,72000 Kč | MFR Recommended |
| IPP60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | 14 078 | IPP60R180P7XKSA1-ND | 75,91000 Kč | Similar |
| SIHP21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP21N60EF-GE3-ND | 110,12000 Kč | Similar |
| SIHP22N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP22N60AE-GE3-ND | 43,32647 Kč | Similar |
| SIHP22N60E-E3 | Vishay Siliconix | 851 | 742-SIHP22N60E-E3-ND | 110,74000 Kč | Similar |







