FCP190N60-GF102 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


onsemi
Skladem : 760
Jednotková cena : 91,34000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 9 712
Jednotková cena : 65,51000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 103,52000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 35,71487 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 861
Jednotková cena : 104,15000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 55,11975 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 500
Jednotková cena : 109,19000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 882
Jednotková cena : 83,57000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 600
Jednotková cena : 72,86000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 260
Jednotková cena : 158,74000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 554
Jednotková cena : 79,37000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 112
Jednotková cena : 143,00000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 20,2A (Tc) 208W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FCP190N60-GF102

Číslo produktu DigiKey
FCP190N60-GF102-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FCP190N60-GF102
Popis
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 20,2A (Tc) 208W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FCP190N60-GF102 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
199mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2950 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
208W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.