Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

SIHP24N65EF-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHP24N65EF-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHP24N65EF-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB |
Standardní dodací lhůta výrobce | 26 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIHP24N65EF-GE3 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 122 nC @ 10 V |
Balení Trubice | Vgs (max) ±20V |
Stav součásti Aktivní | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2656 pF @ 100 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 250W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Způsob montáže Průchozí otvor |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra TO-220AB |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 156mOhm při 12A, 10V | Základní číslo produktu |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | 116,37000 Kč | Similar |
| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP60R160P6XKSA1-ND | 90,72000 Kč | Similar |
| IPP65R190CFDXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP65R190CFDXKSA1-ND | 0,00000 Kč | Similar |
| IPP65R190E6XKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 56 890 | 2156-IPP65R190E6XKSA1-ND | 44,63079 Kč | Similar |
| IXKP24N60C5 | IXYS | 0 | IXKP24N60C5-ND | 101,82837 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 000 | 54,74569 Kč | 54 745,69 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 54,74569 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 66,24228 Kč |








