FCP13N60N je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


onsemi
Skladem : 760
Jednotková cena : 91,34000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 278
Jednotková cena : 61,94000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 51,03000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 65,09000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 36
Jednotková cena : 78,11000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 989
Jednotková cena : 82,73000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 16 512
Jednotková cena : 82,73000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 32,49378 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 994
Jednotková cena : 119,48000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 9
Jednotková cena : 95,75000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 740
Jednotková cena : 73,28000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 267
Jednotková cena : 59,63000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 82,10000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 582
Jednotková cena : 71,18000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 13A (Tc) 116W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FCP13N60N

Číslo produktu DigiKey
FCP13N60NFS-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FCP13N60N
Popis
MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 13A (Tc) 116W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FCP13N60N Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
258mOhm při 6,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
39.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1765 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
116W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.