FCP13N60N je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


onsemi
Skladem : 770
Jednotková cena : 89,36000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 288
Jednotková cena : 57,91000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 500
Jednotková cena : 50,62000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 76
Jednotková cena : 49,99000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 148
Jednotková cena : 46,87000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 16 520
Jednotková cena : 56,66000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 994
Jednotková cena : 105,19000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 372
Jednotková cena : 92,69000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 742
Jednotková cena : 41,04000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 285
Jednotková cena : 50,83000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 792
Jednotková cena : 49,16000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 586
Jednotková cena : 28,33000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 674
Jednotková cena : 75,20000 Kč
Katalogový list
TO-220-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FCP13N60N

Číslo produktu DigiKey
FCP13N60NFS-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FCP13N60N
Popis
MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 13A (Tc) 116W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FCP13N60N Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
258mOhm při 6,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
39.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1765 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
116W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.