Name: GAN7R0-150LBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN7R0-150LBEZTR-ND
Price: 102.3902 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GAN7R0-150LBEZ
Číslo produktu DigiKey	1727-GAN7R0-150LBEZTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-GAN7R0-150LBEZCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-GAN7R0-150LBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	GAN7R0-150LBEZ
Popis	150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 28A 28W Montáž na povrch 3-FCDGA (3,2x2,2)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	GAN7R0-150LBEZ Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,1V při 5mA
Mfr Nexperia USA Inc.	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 7.6 nC @ 5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +6V, -4V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 865 pF @ 85 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 28W
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 28A	Dodávaná velikost pouzdra 3-FCDGA (3,2x2,2)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 5V	Pouzdro 3-VLGA
Rds zap (max) při Id, Vgs 7mOhm při 10A, 5V	Základní číslo produktu GAN7R0