Name: GAN3R2-100CBEAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN3R2-100CBEAZTR-ND
Price: 126.5297 CZK
Availability: InStock

GAN3R2-100CBEAZ
Číslo produktu DigiKey	1727-GAN3R2-100CBEAZTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-GAN3R2-100CBEAZCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-GAN3R2-100CBEAZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	GAN3R2-100CBEAZ
Popis	100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 60A 394W Montáž na povrch 8-WLCSP (3,5x2,13)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	GAN3R2-100CBEAZ Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Nexperia USA Inc.
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	60A
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,2mOhm při 25A, 5V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 9mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (max)	+6V, -4V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1000 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	394W
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-WLCSP (3,5x2,13)
Pouzdro	8-XFBGA, WLCSP
Základní číslo produktu	GAN3R2

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1 500	36,36070 Kč	54 541,05 Kč
3 000	34,92779 Kč	104 783,37 Kč

Jednotková cena bez DPH:	104,57000 Kč
Jednotková cena s DPH:	126,52970 Kč

GAN3R2-100CBEAZ