Name: GANE2R7-100CBAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GANE2R7-100CBAZTR-ND
Price: 147.62 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GANE2R7-100CBAZ
Číslo produktu DigiKey	1727-GANE2R7-100CBAZTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-GANE2R7-100CBAZCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-GANE2R7-100CBAZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	GANE2R7-100CBAZ
Popis	GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 64A (Tc) 470W (Tc) Montáž na povrch 22-WLCSP (2,3x4,45)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 12,2mA
Mfr Nexperia USA Inc.	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 13 nC @ 5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +5,5V, -4V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1400 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 470W (Tc)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 64A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 22-WLCSP (2,3x4,45)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 5V	Pouzdro 22-XFBGA, WLCSP
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,7mOhm při 30A, 5V