
IXTT110N10L2 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IXTT110N10L2-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IXTT110N10L2 |
Popis | MOSFET N-CH 100V 110A TO268 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 37 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 100 V 110A (Tc) 600W (Tc) Montáž na povrch TO-268AA |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 100 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 18mOhm při 55A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4,5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 260 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 10500 pF @ 25 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 600W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-268AA | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 364,94000 Kč | 364,94 Kč |
| 30 | 308,95767 Kč | 9 268,73 Kč |
| 120 | 299,26117 Kč | 35 911,34 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 364,94000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 441,57740 Kč |



